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1.  振蕩器

問(wèn)：內(nèi)部時(shí)鐘振蕩器是不是不穩(wěn)定？是否可以用于產(chǎn)生波特率的時(shí)基？
答：不同器件的內(nèi)部時(shí)鐘振蕩器的精度是不同的(±20%)。隨電源電壓變化，它也將發(fā)生變化（6.5%/V）。但基本不隨溫度變化（<1%溫度變化范圍-40-+85℃）。由于不同器件內(nèi)部振蕩器的離散性較大，所以不能用于產(chǎn)生波特率，應(yīng)該外接標(biāo)準(zhǔn)晶體 (而C8051F300/301內(nèi)部振蕩器精度為±2%，可用于產(chǎn)生波特率) 。

問(wèn)：片內(nèi)/外振蕩器如何配置？
答：正確步驟：
　　1． 允許外部振蕩器；
　　2． 等待1ms；
　　3． 查詢(xún)XTLVLD '0'->'1'
　　4． 切換到外部振蕩器。
注意：振蕩器頻率的選擇，即OSCXCN寄存器的配置（外部振蕩器頻率控制位的設(shè)置）。
匯編和C的部分源代碼如下：
匯編：
mov OSCXCN, #67h　　　　　 　;允許外部振蕩器頻率為 18.432MHz
clr A 　　　　　　　　　　 　 ; 最少等待1ms
djnz acc, $ 　　　　　　　 　 ; 等待 ~512us
djnz acc, $ 　　　　　　　　　; 等待 ~512us
osc_wait: 　　　　　　　　　　;　查詢(xún) XTLVLD是否為1
mov a, OSCXCN
jnb acc.7, osc_wait
orl OSCICN, #08h　　　　　　　; 選擇外部振蕩器作為系統(tǒng)時(shí)鐘源
orl OSCXCN, #80h 　　　　 　　; 使能丟失時(shí)鐘檢測(cè)器
C語(yǔ)言：
void SYSCLK_Init (void)
{
int i 　　　　　　　　　　　　　; //延時(shí)計(jì)數(shù)器
OSCXCN = 0x67　　　　　　　　　; //啟動(dòng)外部振蕩器用 22.1184MHz 晶體
for (i=0; i < 256; i++) 　　　; // 最少等待>1ms
while (!(OSCXCN & 0x80)) 　　 ; // 等待晶體穩(wěn)定
OSCICN = 0x88　　　　　　　　　; //選擇外部振蕩器作為系統(tǒng)時(shí)鐘源
　　　　　　　　　　　　　　　　 //使能丟失時(shí)鐘檢測(cè)器
}

2.  模數(shù)轉(zhuǎn)換

問(wèn)：從上電（或退出掉電模式）到ADC穩(wěn)定開(kāi)始轉(zhuǎn)換需要多長(zhǎng)時(shí)間？
答：模擬建立時(shí)間也就是等待參考電平穩(wěn)定的時(shí)間。它取決于接在VREF引腳的電容容量。此電容越大VREF的噪音就越小，ADC轉(zhuǎn)換結(jié)果的噪音也就越小。如果用4.7uF電容，則穩(wěn)定時(shí)間大約為2ms，如果無(wú)旁路電容（不推薦），穩(wěn)定時(shí)間大約為10us。
注意：在開(kāi)始轉(zhuǎn)化之前，需要一個(gè)1.5us的跟蹤時(shí)間，這也就決定了ADC多路轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)（MUX）的切換速度。

問(wèn)：ADC的最大VREF電壓：
答：內(nèi)部參考：2.40±0.03V；
外部參考：VA+-0.3V。

問(wèn):ADC的最大輸入電壓及輸入阻抗？
答：ADC的最大輸入電壓為VREF。輸入電容為10pF；輸入阻抗等價(jià)于一個(gè)5kΩ電阻和一個(gè)10pF電容的串聯(lián)。
請(qǐng)參考應(yīng)用筆記AN019"計(jì)算開(kāi)關(guān)電容ADC的建立時(shí)間"。

問(wèn)：ADC可編程窗口檢測(cè)器有什么用途？
答：ADC可編程窗口檢測(cè)器在很多應(yīng)用中非常有用。它不停地將ADC輸出與用戶(hù)編程的限制量進(jìn)行比較，并在檢查到越限條件時(shí)通知系統(tǒng)控制器。這在中斷驅(qū)動(dòng)的系統(tǒng)中尤其有效。既可以節(jié)省代碼空間和CPU帶寬又能提供快速響應(yīng)的時(shí)間。

問(wèn)：C8051F020/F021的內(nèi)部參考如何使用？
答：F020：如果ADC0、ADC1及DAC都使用內(nèi)部參考，將VREF連接到VREF0、VREF1、VREFD引腳，
　　 F021：將VREF連到VREFA引腳即可。

3.  端口

問(wèn)：器件IO口的吸收（sink）電流和源（source）電流是多少？
答：GPIO(通用IO)引腳當(dāng)電壓為0.6V時(shí)可以吸收8.5mA的電流。當(dāng)電壓為VDD-0.7V時(shí)的源電流為3mA。

問(wèn)：在GPIO引腳上的弱上拉的值是多少？
答：當(dāng)VDD=3.0V時(shí)，上拉值大約為100KΩ左右。

問(wèn)：Silicon Lab C8051FXXX系列單片機(jī)的IO口與傳統(tǒng)8051單片機(jī)相比有什么區(qū)別？
答：①Cygnal C8051FXXX系列單片機(jī)的IO口全部為三態(tài)雙向口（而傳統(tǒng)8051單片機(jī)P1、P2、P3口為準(zhǔn)雙向口），內(nèi)部有弱上拉可禁止（傳統(tǒng)8051單片機(jī)固有），可配置為開(kāi)漏輸出和推挽輸出（傳統(tǒng)8051單片機(jī)只有開(kāi)漏輸出）。
　　②片內(nèi)數(shù)字資源要通過(guò)數(shù)據(jù)交叉開(kāi)關(guān)（crossbar）按一定的優(yōu)先級(jí)配置到IO引腳（C8051F2XX系列除外，而傳統(tǒng)8051單片機(jī)不具備這一功能）。

問(wèn)：Silicon Lab 8051FXXX系列單片機(jī)電源電壓全部為2.7-3.6V，那么是否有與5V系統(tǒng)接口的比較簡(jiǎn)單的解決方案？
答：所有IO口允許5V（極限值為5.8V）輸入，但是輸出為VDD電平。如果與5V系統(tǒng)接口，最簡(jiǎn)單的方法是在輸出端加上拉電阻，關(guān)鍵是上拉電阻的選擇。具體參考應(yīng)用筆記AN011"在5V系統(tǒng)中使用C8051FXXX"。
建議：如果可能，請(qǐng)盡量選用電壓供電兼容的芯片，這是一種最理想的選擇。

問(wèn):模擬引腳能否簡(jiǎn)單地用于數(shù)字I／O？
答:如果模擬引腳是獨(dú)立的是不可以的。但是如果模擬引腳和數(shù)字IO是復(fù)用的，是可以通過(guò)SFR的設(shè)置來(lái)完成配置。

問(wèn):C8051F020/022的p4-p7口和p0-p3口有什么不同？
答:P0-P3口復(fù)位時(shí)為通用口，可通過(guò)Crossbar（數(shù)據(jù)交叉開(kāi)關(guān)）寄存器按優(yōu)先級(jí)設(shè)置成第二功能。而P4-P7口是通用口，另外P4-P7寄存器不能位尋址。